База знаний
Проведенные операции:
1.1 ИзмерениеRLC-параметров контактирующих устройств (КУ) в нормальных климатических условиях.
1.2 Измерение RLC-параметров КУ при повышенной температуре.
1.3 Измерение RLC-параметров КУ при пониженной температуре.
1.4 Измерение СВЧ характеристик КУ в нормальных климатических условиях.
1.5 Испытание КУ на ресурс при многократном контактировании.
1.6 Измерение RLC-параметров КУ после испытания КУ в п. 1.5.
1.7 Определение зависимости максимально допустимого тока, протекаемого через плунжерные контакты, от температуры.
Постоянное развитие электронной техники и радиотехники сопровождается ростом частоты используемых сигналов. А потому актуальность СВЧ измерений при испытаниях и сертификации ЭКБ также постоянно возрастает. При этом возможностей кустарных подходов становится недостаточно как ввиду повышения требований к качеству проводимых измерений, так и ввиду увеличения объёмов испытаний.
Испытания – это естественный завершающий этап на пути к потребителю (заказчику), через который неизбежно проходит производство как опытных, так и серийных ЭРИ. Всем знакома ситуация, когда на этапе испытаний возникают задержки, которые приводят к срыву сроков сдачи продукции либо к недостоверным и неполным испытаниям. Оба финала неприемлемы.
Актуальность и проблемы задачи обеспечения контактирования ЭРИ при испытаниях.
Задача осуществления достоверных и полноценных испытаний ЭРИ всё более остро встаёт как перед производителями ЭРИ, так и перед разработчиками аппаратуры и испытателями. Залог достоверности результатов испытаний – надёжное контактирование с выводами ЭРИ во время проведения испытаний. Для обеспечения контактирования испытательной оснастки с выводами ЭРИ при неразрушающих испытаниях служат так называемые контактирующие устройства (КУ),
Актуальность
Полное отсутствие контакта с выводом испытуемого изделия ЭКБ в требуемых климатических условиях (например, граничные рабочие температуры) приводит к невозможности функционального и параметрического контроля. Нестабильный контакт приводит к падению напряжения на нем и недостоверным результатам параметрического контроля. Особенно сильно данные проблемы проявляются при работах с ИС в BGA корпусах, рассмотрим причины возникновения проблем на их основе.